Un nouvel acronyme fait son apparition dans le monde des mémoires (qui en est friand) : MRDIMM, pour multi-ranked buffered dual in-line memory module. Samsung a en effet développé un tel module MRDIMM grâce auquel le processeur accède simultanément à deux rangées de mémoires DDR5, doublant ainsi la bande passante théorique. La clé réside dans un buffer de données multiplexé résidant dans la Dram. Actuellement en cours d’échantillonnage, cette première génération de barrettes MRDIMM offre un taux de transfert de 8,8Gbit/s pour une capacité de 16Gbits. Elle vise tout particulièrement les serveurs de données et les applications d’intelligence artificielle.
Dans la même rubrique
Le 11/12/2024 à 7:34 par Frédéric Rémond
Les mémoires flash Nand à 321 couches débarquent en force
Echantillonnées l'an passé, les mémoires flash Nand à 321 couches de SK hynix viennent d'entrer en production de volume et…
Le 27/11/2024 à 8:50 par Frédéric Rémond
512 Mbits de flash Nor dans l’espace
Financée en partie par le laboratoire de recherche de l'US Air Force et codéveloppée avec Micro-RDC, la mémoire flash Nor…
Le 08/11/2024 à 10:20 par Frédéric Rémond
SK hynix case 48 Go dans une seule mémoire HBM3E
Dans le cadre du SK AI Summit 2024 qui vient de s'achever à Seoul, SK hynix a annoncé le développement…
Le 07/11/2024 à 8:25 par Arnaud Pavlik
Farnell et Flexxon optimisent la distribution de solutions industrielles de stockage de données
Farnell a annoncé un nouveau partenariat avec Flexxon, un spécialiste des mémoires flash Nand et de la sécurité informatique. A…