Kioxia et Nanya Technology planchent actuellement sur un nouveau type de mémoire Dram, dite Octram (oxide-semiconductor channel transistor Dram). Présentée pour la première fois lors de la conférence IEDM qui s’est tenue à San Francisco en décembre, cette architecture comprend un transistor vertical cylindrique en InGaZnO caractérisé par un important courant ON (15µA/cellule) et un courant OFF très faible (1aA/cellule). Compatible avec une cellule Dram 4F² plus dense que les versions classiques en 6F², cette structure permettrait d’abaisser la consommation des mémoires vives.
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