Kioxia échantillonne un module de mémoire flash au format UFS 3.1 basé sur sa technologie QLC (quad level cell) à quatre bits par cellule. Ce module proof of concept vise principalement les systèmes recherchant une forte densité de mémoire, comme les smartphones. Il embarque 512Go de mémoire flash.
Dans la même rubrique
Le 08/01/2025 à 8:15 par Christelle Erémian
Micron débute les travaux d’un nouveau site d’encapsulation avancée à Singapour
Micron a lancé, aujourd’hui, le coup d’envoi des travaux de sa future usine de mise en boîtier avancée pour les…
Le 11/12/2024 à 7:34 par Frédéric Rémond
Les mémoires flash Nand à 321 couches débarquent en force
Echantillonnées l'an passé, les mémoires flash Nand à 321 couches de SK hynix viennent d'entrer en production de volume et…
Le 27/11/2024 à 8:50 par Frédéric Rémond
512 Mbits de flash Nor dans l’espace
Financée en partie par le laboratoire de recherche de l'US Air Force et codéveloppée avec Micro-RDC, la mémoire flash Nor…
Le 08/11/2024 à 10:20 par Frédéric Rémond
SK hynix case 48 Go dans une seule mémoire HBM3E
Dans le cadre du SK AI Summit 2024 qui vient de s'achever à Seoul, SK hynix a annoncé le développement…