Kioxia va effectuer trois présentations sur les mémoires lors de la prochaine conférence IEDM qui se déroulera début décembre à San Francisco. L’une, assez classique, explicitera ses avancées en mémoires flash 3D, mais les deux autres s’avèrent plus inattendues car relevant de collaborations. Kioxia travaille ainsi avec Nanya Technology sur un transistor vertical facilitant l’intégration de cellules Dram tout en diminuant le courant de fuite. Par ailleurs, le Japonais œuvre avec SK hynix sur une Mram à forte densité, qui se distingue par un demi-pas de cellule de 20,5nm seulement.