Alors que l’avenir de Kioxia est toujours en suspens, le Japonais et son partenaire de longue date Western Digital, avec lequel il pourrait fusionner, ont détaillé leur dernière génération de mémoires flash Nand. Ces puces TLC (trois bits par cellule) et QLC (quatre bits par cellule) à 218 couches, d’une capacité de 1Tbit, présenteraient une densité supérieure de 50% par rapport aux modèles précédents. Elle comprennent des entrées-sorties à plus de 3,2Gbit/s (+60%), avec un gain de 20% en vitesse d’écriture et latence de lecture. Kioxia et Western Digital mettent notamment en avant une méthode de liaison originale dite CBA (Cmos directly bonded to array) entre la tranche de cellules mémoires et celle assurant la logique de contrôle Cmos. A noter que les concurrents de Kioxia évoquent, pour leur dernière génération de mémoires flash Nand, des empilements de 232 couches (Micron, YMTC) ou 238 couches (Samsung, SK hynix).