Les arbres ne montent pas jusqu’au ciel, mais les mémoires flash Nand continuent, elles, à voir leurs couches de cellules s’empiler. SK hynix vient ainsi de présenter, pour la première fois dans l’industrie, des échantillons de puces Nand à plus de 300 couches – 321 pour être précis. Lors du Flash Memory Summit qui s’est tenu à Santa Clara, le Sud-Coréen a exhibé cette mémoire TLC (cellules à trois niveaux) de 1Tbits. Sa production en volume est prévue au premier semestre 2025.

Par rapport aux mémoires 512Gbits à 238 couches que hynix produit actuellement, ce nouveau modèle offre un rendement supérieur de 59% par tranche. En parallèle, le fabricant a également présenté des mémoires flash optimisées pour les hautes performances requises par les applications IA, et acté le développement de circuits à interface PCIe Gen6 et UFS 5.0.