Cette acquisition renforcera l’expertise de ST dans le GaN et accélérera son activité et sa feuille de route pour les applications de puissance et de fréquences élevées, dans l’automobile, l’industriel et l’électronique grand public.
STMicroelectronics vient d’annoncer la signature d’un accord portant sur l’acquisition d’une participation majoritaire dans le capital d’Exagan, une entreprise française à la pointe de l’innovation dans le nitrure de gallium (GaN). L’expertise d’Exagan en matière d’épitaxie, de développement de produits et de savoir-faire applicatif élargira et accélérera la feuille de route et les activités de ST dans le domaine du GaN de puissance pour les applications automobiles, industrielles et d’électronique grand public. Exagan continuera à exécuter sa feuille de route produits et s’appuiera sur ST pour le déploiement de ses produits.
Les conditions de la transaction demeurent confidentielles et la finalisation de l’acquisition reste soumise à l’obtention des autorisations réglementaires d’usage de la part des autorités françaises. L’accord signé prévoit également l’acquisition par ST du solde de la participation minoritaire dans le capital d’Exagan 24 mois après la clôture de l’acquisition de sa participation majoritaire. Cette acquisition est financée sur de la trésorerie disponible.
« ST a construit une forte dynamique dans le carbure de silicium et étend à présent ses activités avec un autre matériau composite très prometteur, le nitrure de gallium, afin de favoriser l’adoption de produits de puissance basés sur ce matériau par les clients des marchés de l’automobile, de l’industriel et de l’électronique grand public », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics. « L’acquisition d’une participation majoritaire dans le capital d’Exagan marque une nouvelle étape dans le renforcement de notre leadership technologique mondial dans les semiconducteurs de puissance ainsi que pour notre activité, notre écosystème et notre feuille de route en nitrure de gallium à long terme. Elle vient s’ajouter aux développements en cours avec le CEA-Leti à Tours et à la collaboration récemment annoncée avec TSMC », ajoute-t-il.
Le nitrure de gallium (GaN) appartient à la famille des matériaux à large bande (WBG – Wide Band Gap) qui comprend également le carbure de silicium (SiC). Les composants à base de GaN représentent une avancée majeure pour l’électronique de puissance en permettant un fonctionnement en fréquences élevées, avec un rendement accru et une densité de puissance supérieure à celles des transistors à base de silicium, avec à la clé des économies d’énergie et une diminution globale des dimensions du système. Les composants à base de GaN seront utilisés dans un large éventail d’applications, telles que la correction du facteur de puissance et les convertisseurs continu/continu dans les serveurs, les applications de télécommunications et industrielles, les chargeurs embarqués pour véhicules électriques et les convertisseurs continu/continu pour applications automobiles, ainsi que les applications d’électronique personnelle comme les adaptateurs de puissance.
Créée en 2014 et ayant son siège social à Grenoble, Exagan a pour mission d’accélérer la transition de l’industrie de l’électronique de puissance, depuis la technologie sur silicium vers la technologie GaN sur silicium avec des convertisseurs électriques plus petits et plus efficaces. Ses interrupteurs de puissance GaN sont conçus pour être compatibles avec les unités de production de plaquettes en 200 mm.
