Cette collaboration accélèrera le développement et le lancement sur le marché de solutions de puissance avancées en nitrure de gallium (GaN). Elle s’appuie sur l’expertise de ST sur le marché de l’automobile et le leadership de TSMC en tant que fondeur de semiconducteurs. Elle permettra d’améliorer l’efficacité en large bande pour un meilleur rendement énergétique des applications de conversion de puissance.
STMicroelectronics et TSMC, le plus grand fondeur de semiconducteurs au monde, annoncent leur collaboration en vue d’accélérer le développement du procédé technologique en nitrure de gallium (GaN) et la livraison de composants discrets et de circuits intégrés en GaN pour les besoins du marché. Dans le cadre de cette collaboration, les produits innovants et stratégiques conçus par ST en nitrure de gallium seront fabriqués en utilisant le procédé technologique avancé en GaN de TSMC.
Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semiconducteur à large bande (WBG — Wide Band Gap) qui apporte aux applications de puissance des avantages considérables par rapport aux semiconducteurs traditionnels à base de silicium. Parmi ces avantages figure notamment une efficacité énergétique supérieure à des niveaux de puissance plus élevés, avec à la clé, une réduction substantielle des pertes d’énergie parasites. La technologie GaN permet également de concevoir des dispositifs plus compacts pour des formats plus flexibles. De plus, les circuits en GaN commutent à des vitesses jusqu’à 10 fois supérieures à celles des composants en silicium tout en pouvant fonctionner à des pics de température plus élevés. Grâce à ses caractéristiques robustes et intrinsèques, le nitrure de gallium dispose de solides atouts pour s’imposer à grande échelle dans les secteurs en pleine évolution de l’automobile, de l’industriel et des télécommunications, ainsi que dans certaines applications d’électronique grand public dans des gammes de tension (clusters) de 100 V et 650 V.
Spécifiquement, les produits réalisés dans les technologies GaN et GaN de puissance permettront à ST de fournir des solutions pour applications de puissance moyenne et élevée qui afficheront un rendement énergétique supérieur aux technologies en silicium basées sur les mêmes topologies, parmi lesquelles les convertisseurs pour l’automobile et les chargeurs pour véhicules électriques et hybrides. Les technologies de puissance et circuits intégrés en GaN contribueront à accélérer la tendance majeure que constitue l’électrification des véhicules particuliers et commerciaux.
« En tant que leader à la fois dans les technologies microélectroniques large bande et les semiconducteurs de puissance destinés aux marchés exigeants de l’automobile et de l’industriel, ST a identifié une importante opportunité en accélérant le développement et la livraison du procédé technologique en GaN et en mettant sur le marché des produits de puissance et des circuits intégrés en nitrure de gallium. TSMC est un partenaire de confiance qui dispose des moyens de fonderie uniques pour répondre aux exigences en matière de fiabilité et de feuille de route des clients ciblés par ST », a déclaré Marco Monti, président, produits automobiles et siscrets chez STMicroelectronics. « Cette coopération complète nos activités existantes dans le domaine du nitrure de gallium pour applications de puissance menées sur notre site de Tours et avec le CEA-Leti. Le GaN représente la prochaine innovation majeure pour l’électronique de puissance et l’électronique de puissance intelligente, ainsi que pour le domaine des procédés technologiques ».
« L’expertise avancée des procédés de fabrication en GaN de TSMC, conjuguée aux capacités de conception de produits et de qualification pour l’automobile de STMicroelectronics, apportera d’importantes améliorations en matière d’efficacité énergétique aux applications de conversion de puissance pour l’automobile et l’industriel qui sont davantage respectueuses de l’environnement et contribuent à accélérer l’électrification des véhicules », assure Kevin Zhang, Vice-Président en charge du Business Development, TSMC.
ST prévoit de livrer les premiers échantillons des composants de puissance discrets en GaN à ses principaux clients dans le courant de l’année, et quelques mois après, des circuits intégrés en GaN.
