Cette acquisition, pour un montant de 30 M€, permet à Soitec d’accélérer sa pénétration sur les segments de marché en forte croissance de la 5G, de l’électronique de puissance et des capteurs.
Soitec, spécialiste de la conception et la production de matériaux semi-conducteurs innovants, vient d’annoncer un accord définitif en vue d’acquérir EpiGaN, impliqué dans la fourniture de tranches épitaxiées à base de nitrure de gallium (GaN), pour un montant de 30 M€ en numéraire assorti d’un complément de prix dépendant de l’atteinte d’objectifs. Les substrats à base de nitrure de gallium d’EpiGaN sont principalement destinés aux applications de radiofréquence pour la 5G, à l’électronique de puissance et aux applications pour capteurs, la taille du marché adressable par les technologies basées sur le nitrure de gallium étant estimée à un total compris entre 500000 et 1 million de tranches par an d’ici cinq ans.
« La technologie basée sur le nitrure de gallium se développe fortement sur les marchés de la radiofréquence et de la puissance. Les substrats épitaxiés en nitrure de gallium constituent un complément stratégique naturel du portefeuille actuel de matériaux innovants de Soitec », a déclaré Paul Boudre, le directeur général de Soitec. « L’acquisition d’EpiGaN étend et complète le portefeuille de Soitec au-delà de ses matériaux à base de silicium et permettra la création de nouvelles solutions à valeur ajoutée à la fois pour la radiofréquence appliquée à la 5G et pour les systèmes de puissance ».
Dans le domaine de la mobilité, l’optimisation conjuguée de la performance, du niveau de consommation et du prix est cruciale. L’arrivée de la 5G (Sub-6GHz et mmW) entraîne le développement de nouvelles générations de stations de base par rapport à celles utilisées pour la 4G, ce qui à son tour nécessite de nouveaux amplificateurs de puissance plus efficaces sur le plan énergétique, plus performants, de taille plus réduite et à moindre coût. Soitec va ainsi étendre son offre de substrats innovants destinés aux amplificateurs de puissance, sachant que le nitrure de gallium est aujourd’hui à la pointe dans le domaine du design de produits pour stations de base plus petits, plus légers, plus efficients et de meilleur rapport coût-efficacité.
« Largement reconnu depuis plusieurs années pour sa grande expertise dans le nitrure de gallium, EpiGaN a développé une technologie qui est à la fois opérationnelle et optimisée pour les applications de réseau à large bande destinées à la 5G », a déclaré Marianne Germain, co-fondatrice et directrice générale d’EpiGaN. « Notre technologie présente pour les clients Soitec l’opportunité unique de pouvoir développer rapidement des solutions ciblant de nouveaux marchés en forte croissance, tels que les équipements de radiofréquence, ainsi que les commutateurs de puissance et les capteurs efficients ».
Par ailleurs, l’acquisition d’EpiGaN crée également de nouvelles opportunités de croissance complémentaires pour les produits Power-SOI de Soitec compte tenu de l’utilisation du nitrure de gallium dans le design de transistors de puissance. Le Power-SOI et le nitrure de gallium répondent tous deux au besoin d’intégration de fonctions de haute tension et analogiques dans des circuits intégrés de puissance à la fois intelligents, efficaces sur le plan énergétique et de grande fiabilité pour une utilisation dans les domaines des produits électroniques grand public, des centres de données, de l’automobile et de l’industrie. Une fois intégrée, EpiGaN constituera l’une des “business units” de Soitec.
