Cette collaboration permettra la mise à disposition de substrats de qualité à faible coût. Ceux-ci intéressent les fabricants de LED blanches et de convertisseurs d’énergie destinés aux véhicules électriques et hybrides.
Soitec, premier fabricant mondial de tranches de silicium sur isolant (SOI), et Sumitomo Electric, fournisseur de semi-conducteurs composés, annoncent leur coopération pour le développement de substrats avancés en nitrure de gallium (GaN).
Cette collaboration mêlera l’utilisation de la technologie Sumitomo pour la fabrication de tranches de GaN de grande qualité et la technologie Smart Cut de Soitec permettant la réalisation de plusieurs tranches à substrat GaN à partir d’une seule tranche de GaN.
La technique Soitec permet en effet de transférer sur un support standard des couches très minces de nitrure de gallium prélevées sur une tranche de GaN normale. Les substrats résultant de ce transfert présentent une qualité cristalline identique à celle de la tranche de GaN initiale.
La technique Soitec permet donc de diminuer les coûts de production des tranches de nitrure de gallium et d’en promouvoir ainsi l’adoption par les fabricants de LED et de systèmes de conversion d’énergie pour véhicules électriques et hybrides.
