Ce centre a été créé par le CEA-Leti et Soitec. Les travaux de R&D porteront sur le test de nouveaux matériaux en même temps que l’amélioration de l’uniformité de l’épaisseur et de la rugosité de surface de ceux-ci.

Soitec, spécialiste du SOI, et le japonais Kokusai Electric Corporation, concepteur et fabricant d’équipements de déposition de couches minces, annoncent l’extension de leur coopération en R&D par la menée de recherches communes sur le test de nouveaux matériaux en même temps que l’amélioration de l’uniformité de l’épaisseur et de la rugosité de surface de ceux-ci, au sein du Substrate Innovation Center de Grenoble.

« Créé par le CEA-Leti et Soitec, ce centre, ouvert aux différents acteurs de l’industrie, a pour mission de favoriser la collaboration précoce et le partage des connaissances au sein de la chaîne de valeur des semiconducteurs, depuis les substrats jusqu’aux systèmes. Ce pôle a ainsi pour vocation de stimuler la R&D en matière de substrats innovants, qu’il s’agisse du SOI ou de nouvelles générations de substrats », indique le communiqué de presse des deux sociétés.

« Notre partenariat de longue date avec Kokusai a débuté par le développement de solutions disruptives en matière de contrôle de la rugosité des plaques pour la fabrication en grandes quantités de plaques de FD-SOI. Nous étendons aujourd’hui le champ de cette collaboration aux nouvelles générations de substrats innovants », a déclaré Christophe Maleville, directeur technique de Soitec. « Kokusai apporte une expertise unique en matière de procédés de traitement thermique et de formation de couches, deux éléments essentiels au développement des nouvelles générations de substrats pour circuits semi-conducteurs », poursuit-il.

Rappelons que ce mois de juillet, l’américain Applied Materials, numéro un mondial des équipements de production de semi-conducteurs, a conclu un accord pour le rachat de Kokusai Electric Corporation au prix de 2,2 milliards de dollars.