Ces substrats servent à la fabrication de circuits intégrés RF utilisés notamment dans les applications sans fil 4G/LTE.

Soitec, spécialiste du silicium sur isolant (SOI) et des systèmes solaires à concentration (CPV), est satisfait du succès remporté par le substrat eSI (Enhanced Signal Integrity) destiné à la fabrication de circuits intégrés RF utilisés notamment dans les applications sans fil 4G/LTE. Soitec estime en avoir vendu de quoi fabriquer 1,4 milliard de circuits intégrés RF.

« En très peu de temps, notre produit eSI a été largement adopté par la plupart des grandes fonderies qui en font désormais le substrat de référence pour leurs produits », déclare Bernard Aspar, directeur de l’activité Communication & Power de Soitec.

Les substrats eSI de Soitec utilisent un matériau « trap rich ». La couche « trap rich » est insérée entre la couche hautement résistive (HR) du support et l’oxyde enterré. Cette couche limite la conduction parasite de surface, ce qui améliore les performances du circuit intégré RF produit à partir de ce susbtrat.