L’utilisation de la lithographie aux UV extrêmes permet au procédé 7LPP de Samsung de réduire le nombre de masques utilisés pour la fabrication des circuits intégrés par rapport à la lithographie classique par immersion au fluorure d’argon.

Samsung Electronics a démarré la production de circuits intégrés en 7nm à partir de la lithographie EUV. Le procédé utilisé est le 7LPP (7 nanomètres Low Power Plus).

L’utilisation de la lithographie aux UV extrêmes, à longueur d’onde 13,5nm, permet de réduire le nombre de masques nécessaires à la fabrication des circuits intégrés par rapport à la lithographie classique par immersion au fluorure d’argon (ArF) à longueur d’onde 193nm.
Samsung annonce que le procédé 7LPP permet de réduire de 20% le nombre de masques nécessaires à la réalisation d’un type de circuit par rapport aux procédés n’utilisant pas l’EUV. Ce qui se traduit par une économie de temps et d’argent pour le client.

En outre, Samsung indique que, comparé à son procédé 10nm FinFET, le 7LPP permet d’améliorer de jusqu’à 40% la densité des circuits, jusqu’à 20% leurs performances et de réduire jusqu’à 50% leur consommation énergétique.
Samsung a développé son propre outil d’inspection des masques EUV ; cet outil permet de détecter les défauts éventuels en vue de leur correction.