Rochester Electronics distribue désormais le portefeuille GaN (nitrure de gallium) de première génération de transistors RF d’Ampleon à travers le monde. L’inventaire GaN et Die, intègre la licence de fabrication.
Les amplificateurs à large bande discrets GaN de 1ère génération d’Ampleon sont maintenant fabriqués et distribués par l’américain Rochester Electronics. Plus tôt cette année, Ampleon, fabricant néerlandais de semi-conducteurs depuis 2015, a transféré son inventaire VDMOS (transistor de puissance) et les plaquettes de produits associés à Rochester.
Kees Schetters, le vice-président des ventes mondiales d’Ampleon a déclaré : « Faisant suite au succès de notre précédent transfert stratégique, nous sommes ravis que Rochester ait réussi le processus d’appel d’offres qui nous permet de leur transférer l’inventaire et la plaquette associée pour notre 1ère génération de portefeuille de GaN RF haute puissance. (…) Il est clair que tous nos clients recherchent une disponibilité à long terme de ces appareils, et cette transition transparente d’Ampleon à Rochester leur permet non seulement d’accéder au stock autorisé, mais aussi de profiter de Rochester sur capacité à construire à partir de wafer ».
Cette 1ère génération de dispositifs RF GaN d’Ampleon concerne les industries radar, industrielle, médicale et scientifique. La technologie GaN autorise une faible résistance thermique, idéale pour les applications de commutation haute vitesse et haute puissance comme les brouilleurs, les générateurs de plasma, les systèmes radar en bande L, les tests CEM (compatibilité électromagnétique), les amplificateurs à large bande à usage général, l’infrastructure sans fil commerciale, etc.
