L’américain, qui propose déjà des services de fonderie pour la réalisation de composants GaN, compte les étendre aux technologies GaAs. RF Micro Devices proposera désormais des services de fonderie dans différentes technologie GaAs pHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor).
La première concerne une technologie pHEMT 0,3 µm haute puissance. Celle-ci est optimisée pour les amplificateurs de puissance des réseaux à commande de phase en bande X et les applications militaires de guerre électronique exploitant la bande 8 à 16 GHz.
La technologie pHEMT 0,25 µm s’adresse pour sa part aux frontaux RF faible bruit et aux émetteurs de moyenne puissance réalisés sous forme de MMIC.
Enfin, la technologie pHEMT 0,6 µm se prête bien à la réalisation de commutateurs RF linéaires à faible bruit, à destination des frontaux et des modules d’émission-réception sans fil.
Tous ces procédés de fabrication seront pris en charge par l’usine de Newton Aycliffe, située dans le nord de l’Angleterre.
Les deux principaux fondeurs GaAs sont aujourd’hui TriQuint et Win Semiconductors, suivis par des sociétés comme AWSC et GSC. En Europe, UMS et Ommic proposent déjà des services de fonderie GaAs.
