L’américain affirme être le premier à avoir lancé la production de LED de puissance à partir de tranches à base de GaN de 150 mm de diamètre. L’objectif est, d’une part, de répondre à la forte demande, d’autre part, de réduire les coûts de production. Les géants des écrans LCD-TFT grands formats ont fini par démocratiser leurs produits dans les moniteurs informatiques et les téléviseurs en utilisant des usines toujours plus modernes et, surtout, fonctionnant à partir de dalles de verre toujours plus grandes et pouvant accueillir chacune un grand nombre d’écrans. Cette recette est aujourd’hui appliquée par les grands fabricants de LED, en tout cas ceux qui disposent en interne d’une production de tranches et de puces LED par épitaxie. Alors que les usines conventionnelles utilisent des tranches de 50, 75 ou 100 mm, plusieurs noms des LED de puissance, et non des moindres, envisagent en effet de se lancer dans la production à partir de tranches de 150 mm (6 pouces).

C’est ainsi que Philips LumiLeds vient d’indiquer qu’il produisait déjà “des millions” de LED de puissance de sa gamme Luxeon avec une ligne travaillant avec des tranches à base de GaN de 150 mm. Une seule de ces tranches permet de produire 2 fois plus de puces LED que sur une tranche de 100 mm, 4 fois plus que sur une tranche de 75 mm et 9 fois plus que sur une tranche de 50 mm. L’avantage est double : répondre à la forte demande, en particulier dans le domaine de l’éclairage général, et réduire les coûts de production pour inonder le marché avec des produits aux tarifs attractifs.

Mais Philips LumiLeds n’est pas le seul sur le coup. Un autre américain, Cree (notre photo), devrait lui emboîter le pas vers la mi-2011. Et il se dit que d’autres fabricants, tels que le taïwanais Lextar Electronics et le coréen LG Innotek, sont également sur les rangs pour mettre en service des usines de tranches de 150 mm. Reste à savoir si les rendements de production vont s’avérer corrects ou non, la difficulté étant, pour de tels diamètres, de s’affranchir des problèmes d’inhomogénéité surfacique qui peuvent intervenir avec un procédé par épitaxie.