Grâce à cette extension, Plessey Semiconductors va multiplier par 30 la capacité de production de ses Led GaN sur substrat de silicium et embaucher quelques 400 personnes.

Selon le site britannique d’information locale The Plymouth Herald, Plessey Semiconductors, spécialiste des Led sur substrat de silicium, va procéder à l’extension de son site de production basé à Plymouth. La décision a été prise après que la société ait sécurisé un prêt d’un montant de 30 millions de livres sterling (environ 40,5 millions d’euros) auprès de la Deutsche Bank.

L’investissement global de cette extension, qui s’élève au total à 60 millions de livres sterling (81 M€), va permettre à Plessey d’accroître sa capacité de production d’un facteur 30 par rapport à la ligne de production actuelle qui s’apparente en fait plutôt à une ligne pilote. Par la même occasion, la société va créer pas moins de 400 emplois et ainsi tripler ses effectifs actuels pour les porter à 535 personnes, toujours selon The Plymouth Herald. La mise en oeuvre de cette d’extension devrait durer jusqu’à 2017.

Au même titre qu’Osram et surtout que Toshiba, Plessey Semiconductors est l’un des pionniers des Led blanches de puissance en GaN sur substrat silicium (GaN-on-Si), une technologie moins onéreuse que les Led traditionnelles qui, elles,utilisent des substrats en corindon ou en carbure de silicium. Le britannique propose en particulier des modèles en lumière blanche. Pour la fabrication de ses Led en GaN-on-Si, Plessey utilise un procédé qu’il a baptisé MaGIC (Manufactured on GaN IC) pour Led à haute luminosité, qui repose sur les mêmes techniques de fabrication que celles employées pour les semi-conducteurs.