La filiale israélienne d’Intel affirme son rôle essentiel dans le rétablissement de l’entreprise sur le marché des tablettes et des smartphones. Son usine de Kiryat Gat, une des trois au monde à graver en 22 nm, pourrait bien être la première du groupe à graver en 10 nm.
Kiryat Gat (Israël) – Intel Israël couvre toutes les étapes, du design à la fabrication et aux tests et même maintenant à l’intégration et au capital risque ! Forte d’une des trois usines au monde pour la gravure en 22 nm, avec celles de Chandler, en Arizona et de Hillsboro dans l’Oregon, la filiale israélienne est aux avant-postes pour aider Intel à rattraper son retard sur le marché de la mobilité, des smartphones et des tablettes.
Le centre de design de Haïfa (au nord du pays), le deuxième plus important pour Intel après celui dans l’Oregon, a rapidement obtenu ses lettres de noblesse en développant le 8088, le Pentium MMX, la plate-forme Centrino, les processeurs Core i5 et i7, l’architecture Sandy Bridge… Aujourd’hui, après avoir collaboré au processeur Bay Trail et à l’architecture Haswell, il développe entre autres l’architecture Skylake, le processeur SoFia, destiné aux mobiles, le 802.11 ac, etc.
« Notre modèle de développement, mis au point il y a une dizaine d’années pour les CPU, les processeurs graphiques, etc, ne marche pas pour les mobiles où l’usage et la personnalisation prédominent », explique Shlomit Weiss, vice-présidente du Platform Engineering Group et directrice générale du Client Microprocessor Product Group. « Notre modèle pour les mobiles est basé sur des blocs IP, des fonctions disponibles sur étagères comme la reconnaissance vocale, les core CPU, les caméras, que nous assemblons pour composer les produits. Nous allons d’ailleurs adapter ce modèle au développement de nos autres produits ».
Une ligne de production à la pointe
A 160 km de là, au sud de Tel Aviv, c’est sur le site de Kiryat Gat qu’Intel a implanté ses lignes de fabrication. La production avait démarré à Jérusalem, en 1980, dans la Fab 8, en 1500 nm puis en 1998 en 800 nm. Pour lui succéder, Intel inaugure en 1999 la Fab 18 à Kiryat Gat, où sont gravés les circuits en 180 nm. En 2008, la Fab 28, tout juste construite à côté du premier bâtiment, grave en 45 nm. C’est elle qui en 2012 devient le troisième site Intel à graver en 22 nm (technologie 3D Tri-Gate), et qui fabrique notamment les processeurs Core i5 et Core i7.
Prochaine étape, la gravure en 10 nm et les wafers de 450 mm. Intel a déjà prévu l’extension du site de Kiryat Gat. Des piliers ont été coulés dans le sous-sol du terrain contigu afin d’assurer la consolidation d’un futur bâtiment avec le bâtiment existant. Une usine verra le jour prochainement sur ce terrain. C”est sûr ! S’agit-il de la ligne de production 10 nm pour laquelle Intel est en train de choisir une localisation et pour laquelle l’Etat d’Israël a d’ores et déjà promis un abondement conséquent ? La filiale israélienne y croit !
