La fourniture par Cree de tranches SiC de six pouces à l’allemand va permettre à ce dernier d’élargir son offre de produits de puissance, afin de répondre aux besoins des marchés en forte croissance.
Infineon Technologies et l’américain Cree ont conclu un accord stratégique à long terme portant sur la fourniture de tranches de carbure de silicium au profit du premier cité. Cette entente permettra à Infineon d’élargir son offre de produits de puissance en SiC, afin de servir les marchés en pleine croissance des onduleurs photovoltaïques et de l’électromobilité, notamment. Aujourd’hui, les semiconducteurs en SiC de l’allemand sont réalisés dans ses propres unités de production, à partir de wafers de six pouces (150 mm). De fait, l’accord entre les deux sociétés ne concerne que les tranches d’un tel diamètre.
“La garantie d’un approvisionnement à long terme de wafers SiC va nous permettre de renforcer notre stratégie de croissance dans le domaine du contrôle de la puissance pour les applications industrielles et automobiles. En conséquence, nous créerons de la valeur ajoutée pour nos clients” s’est réjoui Reinhard Ploss, le CEO d’Infineon.
