Le fondeur investit dans ses usines des Etats-Unis, d’Allemagne et de Chine. Ces investissements concernent notamment la production de circuits FD-SOI et RF-SOI.

Le fondeur américain de silicium Globalfoundries vient d’annoncer un plan d’investissement concernant des augmentations de production dans quatre de ses dix sites de production mondiaux de semi-conducteurs. Globalfoundries n’a toutefois pas révélé le montant de ces investissements.

Aux Etats-Unis, le fondeur prévoit d’accroître de 20%, d’ici à 2018, la capacité de production en technologie FinFET 14nm de son usine de Malta (Etat de New York). Les investissements prévus pour ce site faciliteront aussi le passage au 7nm. A noter que Globalfoundries shunte l’étape du 10nm.

En Allemagne, il est prévu l’extansion de la production de semi-conducteurs à partir de la technologie FD-SOI 22nm (22FDX) dans l’usine de Dresde. La capacité de production y augmenterait de 40% d’ici à 2020. L’investissement prévu pour ce site aidera aussi à l’avènement de la technologie FD-SOI 12nm.

En Chine, où Globalfoundries a créé une société conjointe avec la municipalité de Chengdu pour la construction d’une usine opérant à partir de tranches de 300mm de diamètre, notamment pour la production de semi-conducteurs en technologies FD-SOI 22nm, le fondeur prévoit une production en volume de tels composants dès 2019.

Enfin, Globalfoundries annonce un investissement dans son usine de Singapour, pour l’augmentation de 35% de la capacité de production de celle-ci en technologie 40nm, ainsi que pour l’installation de nouvelles lignes de fabrication de produits RF-SOI.