Les deux fabricants alignent leurs procédés de fabrication FinFET 14 nm, constituant la première offre multisource en la matière.

Samsung et Globalfoundries viennent de signer un accord pluriannuel stratégique portant sur la fabrication de circuits intégrés en technologie FinFET 14 nm. Ce procédé de fabrication sera disponible tant dans les usines de Hwaseong (Corée) et Austin (Texas) de Samsung que sur le site de Saratoga (New York) de Globalfoundries. La production en volume devrait démarrer d’ici la fin de l’année 2014.