Côté japonais, le projet impliquera Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas et Hitachi. Côté américain, l’un des participants clés sera Micron Technology,

Plus de 20 entreprises japonaises et américaines seraient sur le point de s’associer pour produire des Mram (mémoires magnéto-resistives) en grands volumes, selon l’agence de presse japonaise Nikkei.

Côté japonais, le projet impliquera des acteurs majeurs comme Tokyo Electron, le troisième plus grand fabricant mondial d’équipements de fabrication de semi-conducteurs, Shin-Etsu Chemical, le premier fabricant de  tranches de silicium, et les fabricants de puces Renesas et Hitachi. Côté américain, l’un des participants clés sera Micron Technology, deuxième producteur mondial de Dram.

Ces entreprises enverront plusieurs dizaines de chercheurs à l’université du Tohoku, au nord du Japon. Dirigée par Tetsuo Endoh, professeur dans cette université, l’équipe va commencer ses travaux en février 2014. L’objectif est de convaincre rapidement d’autres entreprises américaines et européennes à se joindre au projet.

Des résultats concrets sont attendues pour 2017 et l’américain Micron envisagerait de débuter la production en grands volumes de Mram dès 2018. Mais il faudra encore attendre de nombreuses années pour qu’elles soient largement diffusées dans les produits électroniques grand public.