SiCrystal, une filiale de Rohm, s’engage à fournir à STMicroelectronics des plaquettes de carbure de silicium pour un montant de quelque 120 millions de dollars.

STMicroelectronics vient de signer avec Rohm un accord pluriannuel portant sur la fourniture par Rohm à STMicroelectronics de plaquettes de carbure de silicium (SiC). Dans la pratique, c’est SiCrystal, filiale de Rohm, qui livrera à STMicroelectronics, pendant plusieurs années, des plaquettes de SiC de diamètre 150mm, ce pour un montant de quelque 120 millions de dollars. Cet accord permet à STMicroelectronics de sécuriser son approvisionnement en plaquette SiC, ce alors que la demande pour des semi-conducteurs de puissance à base de carbure de silicium augmente, tirée notamment par les avancées du véhicule électrique.

« Ce nouvel accord à long terme concernant l’approvisionnement en substrats SiC vient s’ajouter aux capacités externes que nous avons déjà sécurisées, ainsi qu’à nos capacités internes qui montent en puissance. Cela permettra à ST d’augmenter le volume et d’équilibrer les sources d’approvisionnement des plaquettes dont nous aurons besoin pour répondre au fort accroissement de la demande de nos clients pour leurs programmes automobile et industriels au cours des prochaines années », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics.

« SiCrystal, société du groupe Rohm, est l’un des leaders sur le marché du carbure de silicium et fabrique des plaquettes en SiC depuis de nombreuses années. Nous sommes très heureux de conclure cet accord d’approvisionnement avec STMicroelectronics, un client de longue date. Nous continuerons d’aider notre partenaire à étendre ses activités dans le domaine du carbure de silicium en augmentant de façon continue les quantités de plaquettes fournies et en assurant en permanence une qualité fiable », a indiqué, quant à lui, Robert Eckstein, président et CEO de SiCrystal, société du groupe Rohm.