Accord entre IBM et Globalfoundries pour la production de circuits intégrés avancés

Le 12/01/2012 à 16:30 par Didier Girault

Les deux groupes produiront des circuits intégrés en technologies 32 nm dans leurs usines de l’état de New-York.

IBM et Globalfoundries viennent de signer un accord pour la production conjointe de circuits intégrés en technologie SOI (Silicon on insulator) 32 nm d’IBM dans leurs usines de l’état de New-York : East Fishkill pour IBM et la Fab 8 basée dans le comté de Saratoga pour Globalfoundries, une usine dont la construction a démarré en juillet 2009.
Ces deux sites devraient monter en puissance en 32 nm au second semestre de cette année.

Cet accord entre dans le cadre d’une collaboration étroite et durable avec IBM, une collaboration qui a déjà concerné les technologies 65 nm et 45 nm utilisées dans nos usines de Dresde (Allemagne) et Singapour», souligne Ajit Manocha, Pdg de Globalfoundries.
En régime de croisière, la Fab 8 devrait produire quelque 60 000 wafers par mois en technologie 32 nm, puis inférieure à 32 nm.

Selon ElectronicsWeekly.com, Globalfoundries aurait prévu, cette année, d’investir 3 milliards de dollars dans ses usines. Ce qui serait très en-deçà des 5,4 milliards de dollars dépensés en 2011.

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