STMicroelectronics et l’Institut Matériaux Microélectronique et Nanosciences de Provence (IM2NP), affilié au CNRS, à l’Isen, et aux université d’Aix-Marseille et de Toulon, annoncent la création d’un laboratoire de recherche commun dédié aux composants électroniques ultra-miniaturisés à très haut niveau de fiabilité.
Après de longues années d’étroite collaboration et de nombreux travaux de recherche menés en commun, STMicroelectronics et l’Institut Matériaux Microélectronique et Nanosciences de Provence – IM2NP (CNRS/Aix-Marseille Université/Université de Toulon/Isen),composante de l’Institut Carnot Star (Sciences et technologies pour les applications de la recherche), viennent d’officialiser le lancement d’un laboratoire commun de recherche pour développer de nouvelles générations de composants électroniques ultra-miniaturisés à très haut niveau de fiabilité.
Baptisé « Laboratoire Commun REER » pour « Effets des radiations et fiabilité électrique » (Radiations Effects and Electrical Reliability), cette structure de recherche hors murs rassemblera des équipes de l’IM2NP implantées sur Marseille et Toulon avec les ingénieurs spécialistes de STMicroelectronics du site de Crolles.
Le programme scientifique du laboratoire commun REER est défini autour de deux axes de recherche principaux : l’effet des radiations sur les circuits numériques nanométriques et la fiabilité électrique des technologies CMOS nanométriques. Ces axes de recherche sont au coeur des préoccupations de STMicroelectronics pour produire des circuits intégrés à très haut niveau de fiabilité dans de nombreux secteurs-clés, tels que l’automobile, les réseaux de haute fiabilité, le médical ou encore le spatial et la sécurité.
Pour de telles applications, les contraintes internes aux composants électroniques (champs électriques, contraintes mécaniques, température) ou certaines contraintes externes (notamment le rayonnement de particules qu’il soit d’origine naturelle ou artificielle) sont d’une sévérité accrue pour les générations actuelles ou futures de circuits intégrés. Il faut donc pouvoir les caractériser, les modéliser et les simuler correctement pour pouvoir prédire et limiter leurs effets, ce qui est précisément l’un des objectifs clés des travaux du laboratoire commun.
Par ailleurs, de nombreux défis et verrous technologiques apparaissent pour les futures technologies nanoélectroniques et il est important de les appréhender d’un bout à l’autre de la chaîne d’intégration. Par construction et par choix, les thématiques de recherche du laboratoire commun s’étendent des aspects les plus fondamentaux à l’échelle atomique jusqu’aux systèmes en passant par les problématiques matériaux, la physique des dispositifs et la conception de circuits robustes.
Enfin, ces travaux s’inscrivent dans une compétition de niveau mondial et concernent les technologies microélectroniques les plus avancées (noeuds technologiques 28 nanomètres et au-delà), notamment la filière industrielle FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-on-Insulator) développée par STMicroelectronics sur son site de Crolles.
A peine lancé, ce laboratoire commun est déjà impliqué dans de nombreux programmes collaboratifs et projets au niveau national, européen et international, relevant notamment du cluster européen Catrene, de l’initiative Eniac et des programmes-support de la DGE (Direction générale des entreprises) et de la DGA (Direction générale de l’armement). Dans les cinq prochaines années, il permettra à de nombreux étudiants de haut niveau d’effectuer une thèse de doctorat, majoritairement dans un contexte de recherche partenariale publique-privée supporté par le dispositif Cifre (Convention Industrie Formation Recherche).
