STMicroelectronics dirige le projet Places2Be portant sur la maîtrise de la technologie FD-SOI

Le 21/05/2013 à 18:56 par Jacques zzSUEAYGhcIE

D’une durée de trois ans, ce projet de 360 millions d’euros implique 19 partenaires européens (entreprises et institutions universitaires) représentant 7 pays et l’implication prévue d’environ 500 ingénieurs.

Avec à sa tête STMicroelectronics, le projet européen “Places2Be” (“Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe “) a pour ambition de doter l’Europe d’une position de leader en nanoélectronique, grâce à l’industrialisation de la technologie FD-SOI (technologie de silicium sur isolant totalement déplétée). Ce projet est soutenu par la co-entreprise Eniac, initiative de recherche soutenu par la Commission européenne et les pouvoirs publics des Etats membres.

D’une durée de trois ans, ce projet de 360 millions d’euros implique 19 partenaires européens (entreprises et institutions universitaires) représentant 7 pays et l’implication prévue d’environ 500 ingénieurs. Deux lignes-pilotes FD-SOI seront installées à Grenoble et à Dresde afin de soutenir l’industrialisation de cette technologie.

Ce projet a pour vocation de soutenir le déploiement d’une ligne-pilote FD-SOI dans les noeuds de 28 nm et suivants, ainsi que d’une deuxième source qui permettra la fabrication en volume en Europe. Places2Be favorisera la création d’un écosystème européen dans le domaine de la conception microélectronique en s’appuyant sur cette plate-forme FD-SOI, et explorera la voie à suivre vers la prochaine étape de cette technologie (14/10 nm).

La technologie FD-SOI est une alternative basse consommation et haute performance de nouvelle génération aux traditionnelles technologies silicium et FinFET massives (bulk). Les premiers systèmes sur puce réalisés en FD-SOI devraient être utilisés dans des produits électroniques grand public, informatiques de haute performance et de connectivité réseau.

Places2Be est le plus important projet lancé à ce jour dans le cadre d’un partenariat public-privé (Joint Undertaking – JU) de l’Eniac.

Les sources de fabrication de la technologie FD-SOI pour ce projet sont implantées dans les deux grands pôles de la microélectronique européenne : la ligne-pilote de STMicroelectronics de l’usine de Crolles, près de Grenoble (Isère), et la deuxième source dans l’usine Fab 1 de GlobalFoundries à Dresde (Allemagne).

Une vidéo présentant la technologie FD-SOI est disponible sur YouTube.

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