Les industriels ont proposé un plan de 4,3 milliards d’euros. Ils demandent une participation publique de l’ordre d’un milliard d’euros.
« Nano 2017 », le programme doté d’un budget d’un milliard d’euros dont l’industrie de la microélectronique a bénéficié au cours de ces trois dernières années, touche a sa fin. Aussi, les industriels, avec leur tête STMicroelectronics, réclament dès à présent un nouveau plan de financement public, selon notre confrère “Le Monde”.
Selon le quotidien, dix industriels, parmi lesquels STMicroelectronics, Soitec, X-Fab (ex-Altis), mais aussi des grands intégrateurs tels que Renault, Thales et Valeo, ont adressé le 5 juillet au président de la République un courrier pour l’alerter à ce sujet.
Leur consortium propose un plan stratégique d’environ 4,3 milliards d’euros, répartis entre 2,3 milliards de dépenses de recherche et développement et d’ingénierie, et 2 milliards en équipements et salles blanches, selon cette lettre. “Nous demandons un soutien spécifique pour l’investissement avec une participation des pouvoirs publics de l’ordre d’un milliard d’euros”, précisent-ils.
Le financement en faveur de la nanoélectronique en France pourrait être une partie intégrante du troisième programme d’investissement d’avenir, doté de 10 milliards d’euros, et dont les premiers crédits seront débloqués l’an prochain, suppose “Le Monde”
Les technologies de production avancée qui sont au cœur de Nano 2017 font l’objet d’une compétition de niveau mondial, mobilisant d’énormes ressources privées et publiques. Cette compétition se joue aujourd’hui entre 5 pôles mondiaux : 2 aux Etats-Unis, 2 en Asie et 1 en Europe, celui de Crolles/Grenoble. Si l’écosystème de Crolles/Grenoble fait aujourd’hui partie de ce club très fermé, il le doit largement à l’efficacité du modèle unique de coopération qui a été construit, au fil des ans, entre STMicroelectronics et la recherche publique grenobloise. Aujourd’hui, STMicroelectronics et le Leti disposent de compétences uniques au monde sur les technologies de production en FD-SOI (“fully depleted silicon on insulator”), qui constituent un avantage déterminant pour les applications les plus avancées.
