Le fabricant franco-italien STMicroelectronics et Sanan Optoelectronics ont annoncé la création d’une société commune pour la fabrication de composants en SiC (carbure de silicium) sur tranches de 200mm à Chongqing, en Chine.
La nouvelle usine débutera la production au 4e trimestre 2025 et atteindra sa capacité totale de fabrication en 2028. Cette nouvelle installation répondra aux demandes croissantes de la Chine en matière d’énergie, que ce soit dans le domaine de l’électrification des véhicules ou des applications industrielles.
L’entreprise commune fabriquera des dispositifs en SiC exclusivement pour ST. Elle utilisera la technologie SiC du franco-italien et lui servira de fonderie afin de répondre au mieux aux attentes de ses clients chinois.
Sanan Optoelectronics, spécialisée dans les Led, le SiC, les communications optiques, la RF, les filtres et les produits GaN, a l’intention de construire et d’exploiter séparément une autre usine de fabrication de substrats SiC sur tranches de 200mm afin de répondre aux besoins de la joint venture.
« La Chine évolue rapidement vers l’électrification de l’automobile et de l’industrie et c’est un marché où ST est déjà bien implanté avec de nombreux programmes clients engagés. La création d’une fonderie dédiée avec un partenaire local clé est le moyen le plus efficace de répondre à la demande croissante de nos clients chinois. La combinaison de la future usine de fabrication de substrats de 200mm de Sanan Optoelectronics et de la joint venture front-end et l’usine back-end existante de ST à Shenzhen permettra à ST d’offrir à ses clients chinois une chaîne de valeur SiC entièrement intégrée verticalement », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics.
Le coût total de ce projet s’élève à 3,2Md$ avec 2,4Md$ de dépenses d’investissement au cours des cinq prochaines années. Le financement sera assuré par ST et Sanan Optoelectronics avec le soutien du gouvernement local, entre autres.
