STMicroelectronics et Soitec ont annoncé ce matin la prochaine étape de leur collaboration concernant les substrats en carbure de silicium (SiC). ST va ainsi adopter la technologie SmartSiC de Soitec pour sa future fabrication de substrats en 200mm. Ces derniers sont destinés aux applications de puissance pour l’électromobilité et les processus industriels.

« La transition vers des plaquettes SiC en 200mm apportera des avantages substantiels à nos clients des secteurs de l’automobile et de l’industriel qui accélèrent la transition vers l’électrification de leurs systèmes et de leurs produits. Il est important de réaliser des économies d’échelle à mesure qu’augmentent les volumes de produits », a déclaré Marco Monti, président du groupe produits automobiles et discrets de ST.