Soitec et Resonac ont signé un accord pour déployer la technologie SmartSiC de Soitec. Il s’agira de développer des tranches en carbure de silicium (SiC) SmartSiC de 200mm en utilisant les substrats et les procédés d’épitaxie de Resonac.

Cet accord est une étape importante pour le Français dans le cadre de son expansion au Japon et sur d’autres marchés internationaux afin d’accélérer l’adoption du SiC pour les véhicules électriques de nouvelle génération.

« Le carbure de silicium est en train d’être adopté par les applications industrielles et les véhicules électriques, où il apporte un avantage significatif en termes de coût, fait remarquer Christophe Maleville, directeur général adjoint en charge de la technologie et de l’innovation chez Soitec. Pour accélérer cette adoption, le rendement et la productivité du carbure de silicium doivent être améliorés. L’association des matériaux SiC de première qualité de Resonac à la technologie SmartSiC en 200mm de Soitec, unique en son genre, favorisera la disponibilité en volume de substrats epi-ready d’une qualité inégalée. La combinaison de nos technologies et produits respectifs permettra d’optimiser ces substrats en utilisant l’épitaxie de haute qualité de Resonac. Soitec est fier et enthousiaste de s’associer à Resonac pour développer une offre combinée de produits SiC de premier ordre pour le Japon et le reste du monde. »