Le Sud-Coréen SK hynix et le gouvernement américain ont signé, la semaine dernière, un accord pour la construction d’une usine de fabrication d’encapsulation avancée de mémoires HBM dans l’Indiana et d’un centre de R&D.
Dans ce cadre, le fabricant devrait percevoir 450M$ de subventions et avoir accès à des prêts de 500M$ via le dispositif du Chips and Science Act.
Ces fonds s’appuient sur l’investissement réalisé par SK hynix d’environ 3,87Md$ à West Lafayette dans l’Indiana. Ce projet devrait déboucher sur la création de 1000 nouveaux emplois. De plus, la production de masse devrait commencer au cours du 2nd semestre 2028.
Grâce à cet investissement, l’administration Biden voudrait établir un pôle de recherche dans l’Indiana autour des mémoires HBM et des mises en boitier avancées en raison du partenariat entre SK hynix et l’université de Purdue.
« Nous allons de l’avant avec la construction de l’installation de production de l’Indiana, en collaboration avec l’État de l’Indiana, l’université Purdue et nos partenaires commerciaux américains, afin de fournir à terme des produits de mémoire IA de pointe depuis West Lafayette. Nous sommes impatients de créer un nouveau pôle pour la technologie de l’IA […] », a confié Kwak Noh-Jung, CEO de SK hynix.
Par ailleurs, SK hynix prévoit de demander au ministère américain des Finances un avantage fiscal équivalent à 25% des dépenses d’investissement dans le cadre du programme de crédit d’impôt.
