L’Institut de Microélectronique à Singapour et le Français Soitec ont annoncé un partenariat de recherche pour développer la prochaine génération de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) destinés aux véhicules électriques et aux appareils électroniques à haute tension avancés.
« Le programme de recherche commun contribuera au développement d’un écosystème complet autour du SiC et encouragera la création de capacités de production de semi-conducteurs à Singapour et dans l’ensemble de la région », indique le communiqué.
Les deux partenaires utiliseront les technologies brevetées de Soitec et la ligne de production pilote de l’IME pour fabriquer des substrats SiC de 200mm de diamètre.

Prévue jusqu’à mi-2024, cette collaboration vise à remplir deux grands objectifs : développer l’épitaxie du SiC ainsi que les procédés de fabrication de transistors Mosfet pour des substrats SiC, et établir un standard de référence pour les transistors Mosfet de puissance en SiC fabriqués sur des substrats SiC Smart Cut (technologie brevetée de Soitec).

« Ce programme de recherche commun entre l’IME d’A*STAR et Soitec a pour vocation de développer la prochaine génération de dispositifs semi-conducteurs en utilisant des technologies innovantes. Il est rendu possible grâce à l’étendue des capacités de R&D des deux organismes » a déclaré Terence Gan, directeur exécutif de l’IME.

De son côté, Christophe Maleville, CTO et Senior Executive VP de Soitec, estime que « collaborer avec l’Institut de Microélectronique de Singapour et démontrer l’évolutivité des substrats SmartSiC jusqu’en 200mm représente pour nous une formidable opportunité ».