Infineon et Foxconn ont signé hier un protocole d’accord (memorandum of understanding) dont l’objectif est d’établir un partenariat à long terme dans le secteur des véhicules électriques. Afin de créer une électromobilité intelligente et efficace, le protocole d’accord vise à développer la technologie du carbure de silicium (SiC) grâce à Infineon tout en s’appuyant sur les compétences de Foxconn en matière de systèmes automobiles.
« L’industrie automobile évolue. Avec la croissance rapide du marché des véhicules électriques et le besoin associé d’une plus grande autonomie et de meilleures performances, le développement de l’électromobilité doit continuer à progresser et à innover », a déclaré Peter Schiefer, président de la division automobile d’Infineon.
Les deux entreprises devraient mettre en œuvre la technologie SiC dans les applications automobiles telles que les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC-DC.
Par ailleurs, Infineon et Foxconn envisagent d’établir un centre d’application des systèmes à Taïwan cette année. Celui-ci se concentrera sur l’optimisation de l’habitacle intelligent, les systèmes avancés d’aide à la conduite, les applications de conduite autonome, la gestion des batteries et les onduleurs de traction.
