C’est l’un des objectifs de ST à l’horizon 2024 : disposer d’un approvisionnement interne de plus de 40% en substrats de carbure de silicium (SiC).
Voilà que le fabricant franco-italien vient d’enclencher la première étape avec l’annonce ce matin de la construction d’une unité intégrée de fabrication de substrats en SiC en Italie.
Située sur le site de Catane à côté de l’actuelle unité de fabrication de puces en SiC, cette nouvelle usine produira en volume des substrats épitaxiés sur tranches de 150mm en SiC dans un premier temps. Dans un avenir proche, ST développera le procédé sur des tranches de 200mm.

L’investissement de ce projet représente 730M€ sur cinq ans et bénéficiera d’un soutien financier de l’État italien. Environ 700 emplois directs seront créés lorsque la nouvelle unité atteindra sa pleine capacité de production.

« Cette nouvelle unité jouera un rôle clé dans l’intégration verticale de nos activités dans le domaine du carbure de silicium, renforçant notre capacité d’approvisionnement en substrats SiC à mesure que nous continuons d’augmenter les volumes au bénéfice de nos clients des secteurs de l’automobile et de l’industriel et de leur transition vers l’électrification et la poursuite d’une efficacité énergétique accrue », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics.