Entre décembre 2013 et décembre 2018, la capacité mensuelle mondiale de traitement des tranches de silicium de 200 mm de diamètre devrait certes chuter, mais conservera une part de marché honorable; passant de 31,7% de la capacité totale à 26,1%, selon le cabinet IC Insight.

La production de semi-conducteurs à partir de tranches de silicium de 200 mm de diamètre a encore de beaux jours devant elle pour la fabrication des mémoires spéciales, des capteurs d’images, des circuits de gestion de l’affichage, des microcontrôleurs, des circuits intégrés analogiques et des Mems, selon une étude du cabinet IC Insight (intitulée “Global Wafer Capacity”).

La capacité de production à partir de tranches de 200 mm de diamètre devrait progresser dans le monde jusqu’en 2015. Néanmoins, son pourcentage par rapport à la capacité totale de fabrication devrait, lui, reculer : entre décembre 2013 et décembre 2018, la capacité mensuelle de traitement des tranches de silicium de 200 mm de diamètre devrait passer de 31,7% de la capacité totale à 26,1%, selon IC Insight.

La technologie 300 mm continuera à servir d’abord les productions de grandes séries de circuits intégrés standards à grandes surfaces de puce (mémoires Dram et flash, circuits logiques complexes et microprocesseurs, capteurs d’images et circuits de gestion de la consommation).

IC Insight estime que 105 usines fabriqueront des semi-conducteurs à partir de tranches de 300 mm de diamètre en 2018 (productions pilotes et en volume).