Ce marché avait progressé de 36 % en 2010 et 1,7 % en 2009, indique The Information Network. Pour 2012, ce consultant prévoit une croissance de 8 %.

L’an passé, le marché mondial des circuits intégrés en arséniure de gallium (GaAs) a progressé de 1 % par rapport à 2010 contre +36 % en 2010 et +1,7 % en 2009. La hausse très modeste de 2011 est le résultat d’une faible demande en circuits intégrés GaAs de la part des fabricants de téléphones mobiles.
Toutefois, ce dernier marché devrait reprendre du poil de la bête cette année. Aussi, The Information Network prévoit-il une progression de 8 % de la consommation mondiale de circuits intégrés en GaAs en 2012.

Des courants contradictoires agitent le marché des circuits intégrés en GaAs. D’un côté, les téléphones 3G – qui traitent davantage d’informations que les générations antérieures – requièrent davantage d’amplificateurs de puissance (jusqu’à 5 par appareil, selon The Information Networks) que les équipements des générations antécédentes (1 seul).
Le prix du contenu en amplis de puissance des téléphones mobiles est ainsi passé de 0,8 $ en moyenne à 2,9 $; il devrait dépasser 3,5 $ à l’avenir.

D’un autre côté, si les pays industrialisés utilisent déjà la 3G, la grande majorité des utilisateurs mondiaux ne sont équipés que de téléphones 2G et 2,5G. Et ils le resteront durant plusieurs années, de l’avis de The Information Network.
En outre, les téléphones – même les modèles 3G – commencent à être dotés d’amplis de puissance fabriqués non plus en GaAs mais dans des technologies concurrentes : l’an passé, 90 % des amplis de puissance pour téléphones mobiles ont été fabriqués en GaAs, 5 % en Cmos (silicium) et 5 % en LDMos (silicium).
Les fabricants d’alternatives aux circuits de puissance en arséniure de gallium sont notamment Amalfi, Black Sand Technologies (photo d’amplis de puissance Cmos pour la 3G), Javelin Semiconductor et Skyworks.