Le fabricant chinois pourrait dépasser le taïwanais Epistar, actuel leader mondial du secteur, au 4è trimestre 2014, selon IHS.
San’an, fabricant chinois de wafers de nitrure de gallium (GaN) pour LED, a prévu d’installer, en 2014, 100 machines MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) en plus des 100 déjà en fonctionnement.
S’il le fait, il devrait devenir numéro un mondial en capacité de production de wafers de GaN pour LED, annonce la société d’études IHS. San’an prendrait alors la place du taïwanais Epistar, actuel numéro un mondial.
Dans ce cas de figure, au 4è trimestre 2014, San’an repésenterait 10,8% de la capacité mondiale de production de wafers de GaN pour LED contre 10,1% pour Epistar, 6,8% pour LG Innotek et 6,1% pour Samsung (voir figure).
Outre San’an, d’autres fabricants chinois de wafers de GaN pour LED prévoient d’augmenter leurs capacités de production : HC Semitek, Elec Tech et Focus Lihgtings, selon IHS.
