Le distributeur de composants électroniques Mouser a signé un partenariat de distribution mondial avec Navitas Semiconductor, un spécialiste des semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) et de la technologie de carbure de silicium (SiC), fondé en 2014.

L’accord prévoit l’introduction au catalogue de Mouser des gammes de circuits intégrés de puissance GaNFast et GaNSense de Navitas, mais également de la gamme de diodes et Mosfet de puissance SiC GeneSiC. Ces semiconducteurs autorisent des performances haute fréquence pour les applications comme les véhicules électriques, les appareils à charge rapide, l’électronique grand public, les énergies alternatives et les solutions industrielles.

Selon le distributeur américain, les composants de puissance GaNFast offrent des fréquences de commutation six fois plus élevées que les solutions GaN discrètes, un gage d’économies d’énergie du système. Mouser insiste également sur leur facilité d’emploi, ainsi que leur compatibilité avec une gamme de topologies et de contrôleurs populaires. Les circuits de puissance GaNFast intègrent de manière monolithique l’alimentation, le pilotage et le contrôle GaN, afin de créer un bloc de construction « entrée numérique, sortie électrique » simple d’emploi, à grande vitesse. Ils permettent de recharger jusqu’à trois fois plus rapidement, avec une taille et un poids 50% moins élevés que l’ancienne électronique de puissance à base de silicium.

La gamme GaNFast bénéficie de boîtiers PQFN (power quad flat no-lead) faciles à utiliser, à faible profil et à faible inductance, conformes aux normes de l’industrie. Ces dispositifs permettent de réaliser rapidement des prototypes. Ils sont conçus pour la prochaine génération de topologies de commutation logicielle, tout en maximisant la capacité de commutation rapide en MHz du GaN. Ces dispositifs à haut rendement conviennent aux applications mobiles et aux centres de données ainsi qu’aux pilotes de moteur industriels.