Le distributeur Farnell a annoncé la disponibilité dans son catalogue des solutions d’infrastructure énergétique d’onsemi, à savoir les produits EliteSiC, « hautement optimisés en carbure de silicium ».
Selon Farnell, la transition vers la décarbonation s’accélère : en résulte un déplacement de la demande vers l’installation d’un plus grand nombre de systèmes d’infrastructure énergétique comprenant des chargeurs rapides DC (courant continu), des onduleurs solaires, ainsi que des systèmes de stockage d’énergie par batterie (BESS). Le choix d’opter pour des étages de puissance à base de carbure de silicium se révèle crucial pour contribuer à réduire les pertes de puissance, augmenter la densité de puissance, et réduire les coûts de refroidissement. Le distributeur affirme que « la sélection de dispositifs d’alimentation SiC très robustes construits avec fiabilité pour l’infrastructure est un élément clé de la conception de systèmes d’infrastructure énergétique robustes et durables ».
Les applications des dispositifs EliteSiC d’onsemi présentes sur le catalogue Farnell intègrent des onduleurs, des convertisseurs DC-DC, des onduleurs boost, des onduleurs solaires, des stations de recharge de véhicules électriques et des systèmes d’alimentation industrielle. Tous ces dispositifs sont garantis sans plomb, sans halogénure, et conformes à la norme RoHS.
Parmi les produits proposés se trouve l’alimentation EliteSiC à canal N unique. Ses caractéristiques font état « d’un RDS(on) de 80mΩ typique, d’une charge de grille ultra faible (typiquement 56nC), d’une faible capacité de sortie effective (typiquement 9pF) et d’une température de jonction maximale de 175°C ». Farnell évoque aussi le circuit EliteSiC NXH006P120MNF2, soit un module de puissance contenant un demi−pont de Mosfet SiC 1200V et une thermistance dans boîtier F2 ». Le distributeur mentionne que les options pour ces produits comprennent en option la fourniture de matériaux d’interface thermique pré-appliqués, et des broches soudables ou à presser.
