Vishay a tout particulièrement soigné le compromis entre charge capacitive (à partir de 56nC) et chute de tension inverse dans les seize nouvelles diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) qu'il vient de lancer. Ces doubles diodes 650 et 1200V en boîtier SOT-227 délivrent entre 40 et 240A pour les modèles à deux diodes parallèles, et 50 à 90A pour les versions en pont monophasé. Les pertes en conduction sont fortement réduites par la chute de tension inverse qui varie de 1,36 à 1,9V. Inscrites dans la gamme VS-SC de l'Américain, ces diodes SiC conviennent à la conversion et au redressement de puissance dans des panneaux photovoltaïques, des stations de charge et des alimentations industrielles et télécoms.