A l’occasion du salon PCIM, Vishay a exposé les améliorations apportées à sa troisième génération de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) 650V. Déclinée sur 17 modèles dont la tenue en courant varie de 4 à 40A, elle bénéficie d’une conception MPS (merged pin Schottky) qui réduit de 0,3V leur chute de tension et de 17% le produit de cette chute de tension et de la charge capacitive. En outre, Vishay assure que leur fuite de courant inverse est inférieure de 30% à celle des composants concurrents à température ambiante, et même de 70% à température élevée. Ces 17 diodes SiC sont disponibles en boîtiers montables en surface D²PAK 2L ou traversants TO-220AC 2L et TO-247AD 3L.