Avec le RAJ2930004AGM, Renesas Electronics apporte différentes améliorations à ses circuits de commande de grille 1200V destinés entre autres aux onduleurs de véhicules électriques. Capable de piloter des transistors IGBT et Mosfet en silicium ou en carbure de silicium (SiC), ce circuit voit sa capacité d’isolation grimper à 3,75kVRMS contre 2,5kVRMS pour son prédécesseur, le R2A25110KSP. En outre, l’immunité aux transitoires de mode commun (CMTI) atteint désormais 150V/ns.
Le RAJ2930004AGM délivre jusqu’à 10A dans un boîtier SOIC16 compact. Il fonctionne entre -40 et 125°C et dispose de fonctions de verrouillage Miller, de démarrage en douceur et de protection contre les surintensités et les sous-tensions. Actuellement en cours d’échantillonnage, il sera disponible en volume au premier trimestre 2024.
