Extension de la famille de transistors Mosfet de puissance DTMOSVI chez Toshiba avec quatre nouveaux circuits 650V à canal N, les TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z et TK190E65Z. Ces transistors peuvent se prévaloir d’une réduction de 40% du facteur de mérite (produit de la résistance à l’état passant R_DS(on) et de la charge grille-drain Q_GD) par rapport à la précédente génération DTMOS. Ils peuvent gérer un courant de drain de 30A. Leur résistance R_DS(on) démarre à 0,09Ω et leur charge Q_GD à 7,1nC. Tous ces transistors sont proposés dans un boîtier traversant TO-220.