Présent au salon PCIM qui se déroule actuellement à Nuremberg, Toshiba a développé une nouvelle technologie de transistor Mosfet en carbure de silicium (SiC) à diode à barrière Schottky (SBD) intégrée. Son originalité réside dans le fait de pouvoir adapter la largeur de cette barrière afin d’optimiser le consensus entre fiabilité de la conduction inverse et suppression du courant de fuite. Résultat : une résistance à l’état passant diminuée de 26% par rapport aux structures actuelles selon le Japonais.

Concrètement, l’architecture mise en œuvre par Toshiba mêle des barrières profondes et d’autres aux dimensions beaucoup plus réduites. Des échantillons ont été testés par ses clients depuis la fin 2023. Lors du symposium ISPSD qui vient de s’achever à Brème, le fabricant a présenté un prototype de transistor Mosfet SiC 1200V affichant une résistance à l’état passant de 2mΩ/cm².