Les modules de puissance emploient communément plusieurs transistors Mosfet connectés en parallèle pour appréhender des puissances élevées. Lorsque ces transistors commutent, a fortiori dans le cas de Mosfet en carbure de silicium (SiC), peuvent se créer des oscillations parasites, sources de pertes énergétiques. Ces oscillations sont occasionnées par la conjonction de l’inductance de leurs liaisons filaires et de leur capacitance parasite. Un phénomène que Toshiba entend pallier grâce à une technologie que le Japonais peaufine actuellement.

Le Japonais a pour cela modéliser différents modules de puissance afin d’analyser l’effet de l’inductance grille-grille Lg et de l’inductance source-source Ls des transistors en parallèle. Objectif : définir le rapport Lg/Ls à partir duquel les oscillations parasites diminuent de manière significative, y compris pour des transistors SiC à faible résistance de grille. Toshiba travaille désormais à finaliser cette méthode pour l’exploiter dans des modules de puissance qu’il lancera à court terme.