Déjà présent sur le marché des transistors en carbure de silicium (SiC), STMicroelectronics s’attaque désormais au nitrure de gallium (GaN) avec les SGT120R65AL et SGT65R65AL. Ces transistors Hemt 650V présentent respectivement un courant de sortie de 15 et 25A, une résistance à l’état passant de 75 et 49mΩ et une charge de grille de 3 et 5,4nC. Ils sont sertis dans un boîtier PowerFLAT de 5x6mm. Dans les mois à venir, ST va étoffer cette gamme naissante avec des modèles qualifiés pour l’automobile et des versions en boîtier PowerFLAT 8x8mm et LFPAK 12x12mm pour des puissances supérieures. Les SGT120R64AL et SGT65R65AL sont vendus 2,6 et 5$ pièce par lots de 100.