Rohm démarre la production en volume de transistors Hemt en nitrure de gallium (GaN) 150V dont le principal atout réside dans une tension de tenue de grille VGS portée de 6V à 8V. Les GNE10xxTB disposent ainsi d’une marge bien plus conséquente lorsque la tension de référence, typiquement 5V, subit des écarts durant la commutation : il en résulte une fiabilité accrue du montage d’alimentation.
Premier membre de cette famille, le GNE1040TB affiche un courant drain-source de 30A, une résistance à l’état passant de 40mΩ et une charge de grille de 2nC. Il sera suivi des GNE1015TB (55A, 15mΩ, 4,9nC) et GNE1007TB (80A, 7mΩ, 10,2nC). Tous sont encapsulés dans un boîtier DFN5060 de 5x6x1mm.
