« Ces nouveaux transistors Mosfet donnent aux concepteurs la possibilité de remplacer des multiples composants montés en parallèle par un unique boîtier », avance Sachin Shridhar Paradkar, ingénieur marketing chez Littelfuse, à l’occasion du lancement par l’Américain des IXTN400N20X4 et IXTN500N20X4, des Mosfet de puissance 200V. Ces modèles, qui s’inscrivent dans la gamme Ultra Junction X4-Class, appréhendent en effet deux fois plus de courant que les modèles équivalents, avec une résistance à l’état passant inférieure de 63% d’après Littelfuse. Ils conviendraient donc à toutes les applications de puissance basse tension soucieuses de réduire les pertes énergétiques à l’état passant, notamment la gestion de batterie et les alimentations.

Les IXTN400N20X4 et IXTN500N20X4 sont sertis dans un boîtier isolé SOT227B en céramique agrémenté de nitrure d’aluminium. Ils présentent respectivement une résistance de 1,99 et 3mΩ, un courant nominal de 500 et 340A, une charge de grille de 535 et 348nC et une résistance thermique de 0,13 et 0,18K/W.