Wolfspeed vient de lancer sa quatrième génération de transistors Mosfet en carbure de silicium (SiC). Avec, à la clé, des gains pouvant atteindre 21% en résistance à l'état passant et 15% en pertes en commutation. Plus performants, ces transistors seraient aussi plus résistants grâce par exemple à une tenue en court-circuit étendue à 2,3µs. Enfin, la production étant assurée sur des tranches de 200mm, Wolfspeed assure que les coûts seront réduits - d'autant que l'Américain produit également les tranches de SiC elles-mêmes. Cette Gen 4 comprend des puces nues, des composants discrets et des modules complets, estampillés pour des tensions de 750, 1200 et 2300V.