Nexperia continue d’étendre son catalogue de transistors Mosfet en carbure de silicium (SiC), en collaboration avec son partenaire Mitsubishi Electric. Le Néerlandais propose désormais ses Mosfet SiC 1200V dans le populaire boîtier D²PAK-7 montable en surface. Les composants concernés présentent une résistance nominale à l’état passant de 30, 40, 60 ou 80mΩ, en attendant le lancement prochain de modèles à 17mΩ. Nexperia assure en outre que la résistance de ces NSF0xx120D7A0 ne varie que de 38% sur l’ensemble de la plage de température allant de 25 à 175°C, là où d’autres augmentent du simple au double.